2n60功率mos场效应管采用先进的高压dmos工艺技术。这种先进工艺使器件具有优良的特性，如极快 的开关速度，极低栅电荷，最小化的导通电阻以及极强的雪崩击穿特性。这种器件非常适合于高效开关电源，dc/dc转换器，pwm马达控制和桥式驱动电路等。 

 

   特征 

                        

· 2a，600v， rds(on)=3.8ω@vgs=10v；                                                      

· 极低栅电荷，典型9nc； 

·极低反向转换电容；典型5pf 

· 快速开关能力；            

· 增强的dv/di能力；  

· 雪崩击穿测试；                                         

· 封装型式：to-220，to-220f，to-251，to-252  

· 最大结温 150 ℃ 

 

 2n60参数-to-220封装代换

 

刘程